導(dǎo)讀:半導(dǎo)體設(shè)備核心零部件供應(yīng)商恒運昌擬沖刺科創(chuàng)板IPO。
半導(dǎo)體設(shè)備核心零部件供應(yīng)商恒運昌擬沖刺科創(chuàng)板IPO。
6月13日,上交所正式受理深圳市恒運昌真空技術(shù)股份有限公司(以下簡稱“恒運昌”)科創(chuàng)板IPO申請,這家專注半導(dǎo)體設(shè)備核心零部件的企業(yè)擬募資15.5億元,加速推進(jìn)半導(dǎo)體級等離子體射頻電源系統(tǒng)的國產(chǎn)化進(jìn)程。
半導(dǎo)體制造高度依賴等離子體工藝,而等離子體射頻電源系統(tǒng)是該工藝的核心“心臟”。
長期以來,這一領(lǐng)域被美國MKS和AE兩大巨頭壟斷,國產(chǎn)化率不足7%。恒運昌自2013年成立以來,聚焦這一技術(shù)難關(guān),歷時十年研發(fā)出三代產(chǎn)品:
CSL系列:實現(xiàn)國產(chǎn)射頻電源從0到1的突破;
Bestda系列:支撐28納米制程,性能媲美國際水平;
Aspen系列:攻克14納米先進(jìn)制程,打破海外技術(shù)封鎖。
據(jù)招股書披露,恒運昌產(chǎn)品已量產(chǎn)交付拓荊科技、中微公司、北方華創(chuàng)等國內(nèi)頭部設(shè)備商,成為薄膜沉積、刻蝕環(huán)節(jié)的戰(zhàn)略供應(yīng)商。截至2024年末,其自研產(chǎn)品中30款實現(xiàn)百萬級收入,19款突破千萬級收入,市場份額位列國內(nèi)第一。
此次IPO募資15.5億元將投向五大領(lǐng)域:
沈陽半導(dǎo)體射頻電源系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)化項目:擴(kuò)大高端產(chǎn)品產(chǎn)能,滿足先進(jìn)制程需求;
智能化生產(chǎn)運營基地:提升真空裝備零部件的規(guī)?;a(chǎn)能力;
研發(fā)與前沿技術(shù)創(chuàng)新中心:攻關(guān)下一代射頻電源及等離子體技術(shù);
營銷及技術(shù)支持中心:完善全國服務(wù)網(wǎng)絡(luò);
補(bǔ)充流動資金:優(yōu)化資本結(jié)構(gòu),支撐業(yè)務(wù)擴(kuò)張。
恒運昌表示,項目實施后將進(jìn)一步鞏固其在國內(nèi)市場的領(lǐng)先地位,并推動半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵零部件的國產(chǎn)化率提升。
盡管國產(chǎn)零部件取得突破,但挑戰(zhàn)依然嚴(yán)峻。業(yè)內(nèi)人士指出,半導(dǎo)體零部件領(lǐng)域存在五大瓶頸:
市場規(guī)模碎片化:細(xì)分領(lǐng)域需求分散,難以形成規(guī)模效應(yīng);
材料性能滯后:高端原材料仍依賴進(jìn)口;
認(rèn)證周期漫長:關(guān)鍵零部件驗證需1-1.5年;
表面處理技術(shù)薄弱:與工業(yè)級產(chǎn)品差異顯著;
國際競爭激烈:海外巨頭通過專利壁壘和技術(shù)迭代保持優(yōu)勢。
恒運昌的應(yīng)對策略是“技術(shù)深耕+生態(tài)協(xié)同”。例如,其與中芯國際、盛美上海等企業(yè)聯(lián)合開發(fā),通過產(chǎn)業(yè)鏈合作縮短驗證周期;同時,通過并購基金整合資源,強(qiáng)化平臺化能力。
最后
隨著AI、5G、新能源汽車等新興領(lǐng)域?qū)π酒枨蟮谋l(fā),半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場將持續(xù)擴(kuò)容。
全球半導(dǎo)體設(shè)備市場在2024年達(dá)1192億美元,預(yù)計2025年增至1398億美元,其中中國占比超30%。核心零部件作為設(shè)備成本的80%以上,市場規(guī)模約200-300億美元,直接支撐半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈運轉(zhuǎn)。
中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計從2023年的366億美元增至2027年的657.7億美元,年均復(fù)合增長率達(dá)15.8%,凸顯本土市場需求爆發(fā)力。
半導(dǎo)體設(shè)備由8大核心子系統(tǒng)構(gòu)成,涉及機(jī)械、電氣、軟件等跨學(xué)科技術(shù)。當(dāng)前國產(chǎn)化率僅10%-15%,石英件、射頻電源、真空泵等關(guān)鍵零部件仍依賴進(jìn)口。技術(shù)突破面臨五大挑戰(zhàn):細(xì)分市場規(guī)模小導(dǎo)致規(guī)模化效應(yīng)不足、原料性能滯后、電氣類產(chǎn)品基礎(chǔ)薄弱、認(rèn)證周期長達(dá)1-1.5年、表面處理技術(shù)要求嚴(yán)苛。例如,真空閥門領(lǐng)域國內(nèi)產(chǎn)品覆蓋度與精細(xì)度不足,晶圓傳送設(shè)備市場仍由國外廠商主導(dǎo)。
政策層面,政府工作報告多次強(qiáng)調(diào)突破“卡脖子”環(huán)節(jié),推動核心零部件國產(chǎn)化。資本層面,PE機(jī)構(gòu)加速布局,通過并購基金助力企業(yè)擴(kuò)張。國內(nèi)企業(yè)如中科九微、泓滸半導(dǎo)體在真空閥門、晶圓傳送領(lǐng)域取得突破,部分產(chǎn)品進(jìn)入臺積電產(chǎn)業(yè)鏈。同時,上市公司如富創(chuàng)精密、江豐電子通過逆勢投資擴(kuò)大產(chǎn)能,在靜電吸盤、石墨基座等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)跨越。
全球市場由美國(44%)、日本(33%)企業(yè)主導(dǎo),如MKS、UCT、AE等。國內(nèi)企業(yè)逐步從“單點突破”向“平臺化”演進(jìn):北方華創(chuàng)覆蓋80%設(shè)備品類,中微公司刻蝕設(shè)備精度達(dá)0.02nm,5nm制程量產(chǎn)能力全球領(lǐng)先。未來趨勢包括:深耕既有工藝技術(shù)、發(fā)展功能模組、提高精密加工能力,以及通過產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同實現(xiàn)智能化生產(chǎn)。
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